高温210度存储器

合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ，适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多，150度常用的是25LC256系列，175度FLASH存储器可以做到4MB容量，200度和210度的都是TI公司eeprom存储器，容量较小，高温200度读写存储器型号，如有需要的客户，高温150度读写存储器单价，欢迎来电。

存取时间（访问时间）TA：从存储器接收到读/写命令到信息被读出或写入完成所需的时间（决定于存储介质的物理特性和寻址部件的结构）。

例如：

ROM存取时间通常为几百ns；

RAM存取时间通常为几十ns到一百多ns；

双极性RAM存取时间通常为10～20ns。

200度eeprom存储器
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随着技术的发展，“只读”这个“传统”的概念有时是可以被一些新特性的器件颠覆的。比如下面这两种类型的ROM就可以使用适当的方法进行擦除或改写：

EPROM：与一般的ROM不同在于，它可用特殊的装置擦除或重写其中的内容。

FLASH：闪速存储器，读写存储器，是完全非易失的，可以在线写入，并且可以按页连续字节写入，读出速度快。

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新兴存储器(emerging memory)现在多指的是新的非挥发性存储器，主要包括相变半导体(Phase Change Memory；PCM)、可变电阻式存储器(Resistive RAM；ReRAM)以及MRAM。这些新兴存储器目前都在竞争储存级存储器(Storage Class Memory；SCM)的主要位置。

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