公司成立于2013年7月，大电流mos公司，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。

估测场效应管的放大能力

　　把万用表调到R×100档时，用红表笔去接源极S，用黑表笔去接漏极D，这就好像是给场效应管加上了1.5V的电压。这个时候表针指示的就是D-S极间的电阻值。这个时候用手指去捏栅极G，把人体的感应电压当做输入信号去加到栅极上时。因为管子放大的作用，ID和UDS都会变化，意思就是D-S极间的电阻发生了变化，我们可以观察到此时表针有较大的摆动幅度。假如手捏栅极时，表针的摆动幅度很小，也就是说管子的放大能力比较弱；如果表针没有丝毫动作，说明管子已经损坏了。

公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。

MOS管的选型是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，WP大电流mos，同时也会给工程师带来诸多麻烦。

为设计选择正确器件的头一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。

在典型的功率应用中，大电流mos万芯半导体，当一个MOS管接地，台州大电流mos，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。 当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。

一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。MOS管的source（源极）和drain（耗尽层）是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。场效应管分为PMOS管（P沟道型）和NMOS（N沟道型）管，属于绝缘栅场效应管。

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