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相比于 NOR Flash,高温175度读写存储器型号,NAND Flash 写入性能好,大容量下成本低。 目前,绝大部分手机和平板等移动设备中所使用的 eMMC 内部的 Flash Memory 都属于 NAND Flash。PC 中的固态硬盘中也是使用 NAND Flash。
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Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。
NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样,读写存储器,即可以根据地址随机读写,用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码,这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。因为其读取速度快,多用来存储程序、操作系统等重要信息。
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Flash存储器是一种电可擦除程序化只读存储器的形式,允许在操作中被多次擦除或读写。Flash存储器由多个层次的结构组成,高温200度读写存储器型号,包括Device、target、LUN、Block和Page等。其中,LUN是逻辑单元,可以独立执行一个命令或汇报状态;Block是擦除的小单元,由多个Page组成;Page是写入和读出的基本单位。Flash存储器的主要特点是高集成度、低功耗和长寿命。
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