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1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。

NAND Flash没有采取内存的随机读取技术,读写存储器,它的读取是以一次读取一块的形式来进行的,通常是一次读取512个字节,高温200度读写存储器容量,采用这种技术的制作Flash的成本更廉价。

用户不能直接运行NAND Flash上的代码,因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flash以外,还做上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。



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Flash,又叫Flash Memory,即平时所说的“闪存”。

Flash结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的功能,还可以快速读取数据,具有NVRAM的优势(NVRAM:Non-Volatile Random Access Memory,非易失性随机访问存储器)。

在过去,嵌入式系统一直使用ROM(EPROM)作为它们的存储设备,Flash的出现,代替了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位,用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用(U盘、固态硬盘)。



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EEPROM解决了传统ROM/OTP只能出厂前或一次性固化程序而不利于调试的问题;也突破了EPROM必须脱机用紫外线来擦除的繁琐和不稳定等问题。EEPROM直接采用电来重写数据,并可按字节进行擦除和再编程,从而克服了一般ROM的缺点和不足。但由于EEPROM的存储量一般不大,因此只适用于一些小容量存储的场合。


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