150度进口存储器
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存储器本身不具有地址信息，它的地址是由芯片厂商或用户分配，给存储器分配地址的过程称为存储器映射，如果再分配一个地址就叫重映射存储器映射ARM 将这 4GB 的存储器空间，150度可擦除存储器介绍，平均分成了 8 块区域， 每块区域的大小是 512MB（1）Block0 内部区域功能划分Block0 主要用于设计片内的 FLASH，0x0000 0000-0x0007FFFF：取决于 BOOT 引脚，为 FLASH、系统存储器、 SRAM 的别名。0x08000000-0x0807FFFF：片内 FLASH，我们编写.

150度存储器FLash
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Flash，又叫Flash Memory，即平时所说的“闪存”。

Flash结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的功能，还可以快速读取数据，具有NVRAM的优势（NVRAM：Non-Volatile Random Access Memory，非易失性随机访问存储器）。

在过去，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，Flash的出现，代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U盘、固态硬盘）。

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现在的 EEPROM 和 FLASH 都属于“可多次电擦除存储器”，但他们二者之间还是有很大差异。

首先，他们差异就是：FLASH按块/扇区进行读写操作，EEPROM支持按字节读写操作。

其次，容量大小不同：FLASH容量可以做到很大，可擦除存储器，但EEPROM容量一般都很小。

再次，就是它们的应用场景不同：EERPOM存储零散小容量数据，比如：标志位、一组数据等。FLASH存储大容量数据，比如：程序代码、图片信息等。

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