275度达林顿晶体管

北京启尔特科技新到一批150度、175度、200度、225度、250度、275度高温晶体管，具有体积小，电压范围大，结实可靠，三极管，可耐高温，常用型号有2N2222A等，适用于石油测井勘探及其他科研领域。

单电子晶体管

用一个或者少量电子就能记录信号的晶体管。随着半导体刻蚀技术和工艺的发展，大规模集成电路的集成度越来越高。以动态随机存储器(DRAM)为例，它的集成度差不多以每两年增加四倍的速度发展，预计单电子晶体管将是终的目标。目前一般的存储器每个存储元包含了20万个电子，而单电子晶体管每个存储元只包含了一个或少量电子，因此它将大大降低功耗，提高集成电路的集成度。为了提高单电子晶体管的工作温度，150度进口三极管电路，必须使点的尺寸小于10纳米，目前世界各实验室都在想各种办法解决这个问题。有些实验室宣称已制出室温下工作的单电子晶体管，观察到由电子输运形成的台阶型电流——电压曲线，但离实用还有相当的距离。

175度三极管

北京启尔特科技新到一批150度、175度、200度、225度、250度、275度高温晶体管，具有体积小，175度进口三极管电路，电压范围大，结实可靠，可耐高温，常用型号有2N2222A等，适用于石油测井勘探及其他科研领域。

耗散功率耗散功率也称集电极允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的集电极耗散功率。

耗散功率与晶体管的允许结温和集电极电流有密切关系。晶体管在使用时，150度高温三极管电路，其实际功耗不允许超过PCM值，否则会造成晶体管因过载而损坏。

通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管，PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管，将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。

200度高温场效应管

北京启尔特科技新到一批150度、175度、200度、225度、250度、275度高温晶体管，具有体积小，电压范围大，结实可靠，可耐高温，常用型号有2N2222A等，适用于石油测井勘探及其他科研领域。

场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。

按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。

场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。

三极管-北京启尔特-175度进口三极管电路由北京启尔特石油科技有限公司提供。北京启尔特石油科技有限公司是北京 昌平区 ,集成电路的见证者，多年来，公司贯彻执行科学管理、创新发展、诚实守信的方针，满足客户需求。在北京启尔特领导携全体员工热情欢迎各界人士垂询洽谈，共创北京启尔特更加美好的未来。同时本公司还是从事150度高温晶振，175度晶振，200度晶振的厂家，欢迎来电咨询。