275度达林顿晶体管

北京启尔特科技新到一批150度、175度、200度、225度、250度、275度高温晶体管，具有体积小，现货150度晶体管参数，电压范围大，结实可靠，可耐高温，常用型号有2N2222A等，适用于石油测井勘探及其他科研领域。

单电子晶体管

用一个或者少量电子就能记录信号的晶体管。随着半导体刻蚀技术和工艺的发展，现货175度晶体管参数，大规模集成电路的集成度越来越高。以动态随机存储器(DRAM)为例，它的集成度差不多以每两年增加四倍的速度发展，预计单电子晶体管将是终的目标。目前一般的存储器每个存储元包含了20万个电子，而单电子晶体管每个存储元只包含了一个或少量电子，因此它将大大降低功耗，提高集成电路的集成度。为了提高单电子晶体管的工作温度，必须使点的尺寸小于10纳米，批发150度晶体管参数，目前世界各实验室都在想各种办法解决这个问题。有些实验室宣称已制出室温下工作的单电子晶体管，观察到由电子输运形成的台阶型电流——电压曲线，但离实用还有相当的距离。

225度达林顿晶体管

北京启尔特科技新到一批150度、175度、200度、225度、250度、275度高温晶体管，晶体管，具有体积小，电压范围大，结实可靠，可耐高温，常用型号有2N2222A等，适用于石油测井勘探及其他科研领域。

场效应晶体管

场效应晶体管（field effect transistor）利用场效应原理工作的晶体管。英文简称FET。场效应就是改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小，以控制半导体导电层（沟道）中多数载流子的密度或类型。它是由电压调制沟道中的电流，其工作电流是由半导体中的多数载流子输运。这类只有一种极性载流子参加导电的晶体管又称单极型晶体管。与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声小、极限频率高、功耗小，制造工艺简单、温度特性好等特点，广泛应用于各种放大电路、数字电路和微波电路等。

200度高温晶体管

北京启尔特科技新到一批150度、175度、200度、225度、250度、275度高温晶体管，具有体积小，电压范围大，结实可靠，可耐高温，常用型号有2N2222A等，适用于石油测井勘探及其他科研领域。

晶体管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。

晶体管有三个极: 双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）; 场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。

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