150度存储器eeprom
合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ，175度可擦除存储器介绍，适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多，150度常用的是25LC256系列，175度FLASH存储器可以做到4MB容量，200度和210度的都是TI公司eeprom存储器，容量较小，如有需要的客户，欢迎来电。

场上的FLASH存储器产品包括两类：1. 未预留缓冲空间的；2. 预留有缓冲空间的。

一种情况下，由于没有预留空间，FLASH存储器在读写时交换块的损耗相当大，于是就会出现容量越来越小的情况。

对于第二种情况，厂商在设计时已经预留部分物理块，175度可擦除存储器价格，比如选择1024个物理块中的1000个作为数据存储使用，其余24个物理块（包括坏块）用作缓冲交换块部分。每次上电后，存储单元的逻辑地址和物理地址需要重新对照，交换块并不是固定的某一区块，因而每一个物理块进行读写操作的几率几乎相同，不会出现哪一个物理块过早被损坏的现象。对于预留缓冲空间的FLASH存储器来说，基本不会出现容量越来越小的情况。

150度FLash存储器
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现在的 EEPROM 和 FLASH 都属于“可多次电擦除存储器”，210度可擦除存储器介绍，但他们二者之间还是有很大差异。

首先，可擦除存储器，他们差异就是：FLASH按块/扇区进行读写操作，EEPROM支持按字节读写操作。

其次，容量大小不同：FLASH容量可以做到很大，但EEPROM容量一般都很小。

再次，就是它们的应用场景不同：EERPOM存储零散小容量数据，比如：标志位、一组数据等。FLASH存储大容量数据，比如：程序代码、图片信息等。

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EEPROM和闪存的写入时间显着增加了MCU的能耗，因为它们使MCU的活动时间更长。如果在写入EEPROM和闪存完成时MCU处于睡眠模式，则可以降低能耗。但是，EEPROM或闪存消耗的能量代表了系统的大部分能耗，因此使MCU处于睡眠模式不会对总体能耗产生重大影响。很明显，通过功率门控的快速写入，非易失性存储器可以实现低的能耗。

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