200度存储器芯片
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光擦可编程只读存储器（EPROM）

光擦可编程只读存储器（EPROM）的特点是内容可以用特殊的方式擦除和重写。EPROM出厂时，其存储内容为全「1」，用户可根据需要将部分内容改写为「0」，需要修改存储内容时，可将原存储内容擦除（恢复为全「1」），随机存储器，以便写入新的内容。

EPROM一般是将芯片用紫外线照射15～20分钟左右，以擦除其中的内容，然后用的EPROM写入器将信息重新写入，一旦写入则相对固定。在闪速存储器大量应用之前，EPROM常用于软件开发过程中。

原装175度存储器

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EEPROM主要用于存储关键性的数据，如传感器的标定数据、用户配置参数等。由于其可编程性和灵活性，EEPROM在需要频繁更新数据的嵌入式系统中得到广泛应用。

Flash存储器则更适用于存储大容量的数据记录，210度随机存储器价格，如文件、图片、字库等。此外，Flash存储器还常用于存储经常读但很少写的数据，如操作系统代码、应用程序等。

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Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，150度随机存储器价格，改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。

NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，即可以根据地址随机读写，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。因为其读取速度快，多用来存储程序、操作系统等重要信息。

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