一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。MOS管的source（源极）和drain（耗尽层）是可以对调的，中低压mos，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。场效应管分为PMOS管（P沟道型）和NMOS（N沟道型）管，属于绝缘栅场效应管。

公司成立于2013年7月，WP中低压mos，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。

半导体工艺制程不断缩小，MOS器件尺寸随之不断减小，当达到纳米级别后，受功耗密度、散热效率等因素影响，传统MOS器件出现一系列性能问题，性能与可靠性会退化，无法满足集成电路要求。围栅硅纳米线MOS器件具有优良的栅控能力，在保持性能与可靠性方面更具优势，且具有良好的CMOS工艺兼容能力，因此成为MOS器件的重要发展方向。

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在开关电源应用方面，这种应用需要MOS管定期导通和关断。比如，DC-DC电源中常用的基本降i压转换器依赖两个MOS管来执行开关功能，中低压mos价格，这些开关交替在电感里存储能量，然后把能量释放给负载。我们常选择数百kHz乃至1MHz以上的频率，因为频率越高，中低压mos万芯半导体，磁性元件可以更小更轻。在正常工作期间，MOS管只相当于一个导体。因此，我们电路或者电源设计人员关心的是MOS的传导损耗。

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