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Flash 储存器芯片中单元格里的电子可以被带有更高电压的电子区还原为正常的1。Flash 储存器采用内部闭合电路，这样不仅使电子区能够作用于整个芯片，还可以预先设定“区块”（Block）。在设定区块的同时就将芯片中的目标区域擦除干净，以备重新写入。传统的EEPROM芯片每次只能擦除一个字节，而Flash 储存器每次可擦写一块或整个芯片。Flash 储存器的工作速度大幅优于传统EEPROM芯片。
原装175度存储器
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EEPROM主要用于存储关键性的数据，如传感器的标定数据、用户配置参数等。由于其可编程性和灵活性，EEPROM在需要频繁更新数据的嵌入式系统中得到广泛应用。
Flash存储器则更适用于存储大容量的数据记录，如文件、图片、字库等。此外，Flash存储器还常用于存储经常读但很少写的数据，如操作系统代码、应用程序等。
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按其制造工艺可分为
（1）双极型存储器特点：运算速度比磁芯存储器速度约快了 3个数量级，而且与双极型逻辑电路型式相同，使接口大为简化。
（2）MOS晶体管存储器特点：集成度高、容量大、体积小、存取速度快、价格便宜、功耗低、维护简单。
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