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有许多比较各种新兴存储器的基准指标,包括写入速度、功耗、耐久性、资料保存期限、可扩展性(scalability)等。但新兴存储器的材料、结构、甚至工作机制,都还在快速进展之中,单看这些数据并不能有较远的能见度。


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1.位翻转错误:EEPROM存储器中的存储单元可能会因为电子泄漏或干扰而发生位翻转,175度静态存储器价格,导致存储的数据发生错误。这种情况可能会导致系统崩溃或数据丢失。

2、写入错误:EEPROM存储器在写入数据时,可能会发生写入错误。这可能是由于电压不稳定、电流过大或其他原因引起的。写入错误可能导致存储的数据损坏或不完整。

3、擦除错误:EEPROM存储器在擦除数据时,可能会发生擦除错误。这可能是由于擦除电压不稳定、擦除时间过长或其他原因引起的。擦除错误可能导致存储的数据无法完全擦除或部分损坏。




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现在各新兴存储器的发展各占区位,MRAM在嵌入式的应用站稳位置,210度静态存储器介绍,PCM和ReRAM则往SCM方向发展,ASML的SCM技术路标上的两个竞争者就是PCM和ReRAM,虽然现在ReRAM的实际容量还小。但是未来真正的决胜点,我认为是哪里一种新兴存储器能做到真正的3D制程,而不是cross-point,这样才有可能在价格上与3D NAND竞争。


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