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Flash 存储器的操作
对 Flash 存储器的操作一般是进行读、写和擦除。Flash 存储器的擦除必须是以1KB 为单位对齐的地址并哪一区块被擦除，或者全部擦除。
Flash 存储器的编程写入的地址必须以字(4 个字节)为单位对齐，175度静态存储器介绍，且指明要写入的具体地址。也就是说可以是任意地址，但必须满足写入的地址是字对齐的。
Flash 存储器的读取也可以是任意地址的数据，但必须满足读取的地址是字对齐的，否则，读出的数据不正确，结果也难以预料。
150度FLash存储器
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现在的 EEPROM 和 FLASH 都属于“可多次电擦除存储器”，但他们二者之间还是有很大差异。
首先，他们差异就是：FLASH按块/扇区进行读写操作，EEPROM支持按字节读写操作。
其次，容量大小不同：FLASH容量可以做到很大，但EEPROM容量一般都很小。
再次，就是它们的应用场景不同：EERPOM存储零散小容量数据，比如：标志位、一组数据等。FLASH存储大容量数据，200度静态存储器价格，比如：程序代码、图片信息等。
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FLASH存储器的基本单元电路，与EEPROM类似，也是由双层浮空栅MOS管组成。但是一层栅介质很薄，作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同，在第二级浮空栅加以正电压，使电子进入一级浮空栅。读出方法与EPROM相同。擦除方法是在源极加正电压利用一级浮空栅与源极之间的隧道效应，把注入至浮空栅的负电荷吸引到源极。由于利用源极加正电压擦除，因此各单元的源极联在一起，这样，快擦存储器不能按字节擦除，而是全片或分块擦除。
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