只读存储器-合肥启尔特-210度只读存储器参数
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根据Flash生产厂商,200度只读存储器参数,理论上闪存盘可擦写1,000,000次,折合正常使用次数计算,闪存盘里数据可保存约10年左右。

FLASH存储器在使用一段时间后,210度只读存储器参数,再次格式化,其容量会自动变小。



测井175度存储器
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FLASH存储器的基本单元电路,与EEPROM类似,也是由双层浮空栅MOS管组成。但是一层栅介质很薄,作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同,只读存储器,在第二级浮空栅加以正电压,使电子进入一级浮空栅。读出方法与EPROM相同。擦除方法是在源极加正电压利用一级浮空栅与源极之间的隧道效应,把注入至浮空栅的负电荷吸引到源极。由于利用源极加正电压擦除,因此各单元的源极联在一起,这样,快擦存储器不能按字节擦除,而是全片或分块擦除。


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Flash ROM可以用软件在PC中改写或在线写入信息,一旦写入则相对固定。因此,在PC中可用于存储主板的BIOS程序。由于支持改写,就便于用户自行升级BIOS,但这也给病毒创造了良好环境,的CIH病毒正是利用这个特点来破坏BIOS,从而导致整个系统瘫痪的。另外,由于单片存储容量大,易于修改,Flash ROM也常用于数码相机和U盘中,因其具有低功耗、高密度等特点,且没有机电移动装置,特别适合于便携式设备。


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