200度eeprom存储器
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随着技术的发展，“只读”这个“传统”的概念有时是可以被一些新特性的器件颠覆的。比如下面这两种类型的ROM就可以使用适当的方法进行擦除或改写：

EPROM：与一般的ROM不同在于，它可用特殊的装置擦除或重写其中的内容。

FLASH：闪速存储器，是完全非易失的，可以在线写入，并且可以按页连续字节写入，读出速度快。

150度存储器eeprom
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场上的FLASH存储器产品包括两类：1. 未预留缓冲空间的；2. 预留有缓冲空间的。

一种情况下，由于没有预留空间，200度动态存储器介绍，FLASH存储器在读写时交换块的损耗相当大，于是就会出现容量越来越小的情况。

对于第二种情况，厂商在设计时已经预留部分物理块，比如选择1024个物理块中的1000个作为数据存储使用，其余24个物理块（包括坏块）用作缓冲交换块部分。每次上电后，存储单元的逻辑地址和物理地址需要重新对照，交换块并不是固定的某一区块，因而每一个物理块进行读写操作的几率几乎相同，150度动态存储器价格，不会出现哪一个物理块过早被损坏的现象。对于预留缓冲空间的FLASH存储器来说，基本不会出现容量越来越小的情况。

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RAM 是随机存取存储器，它的特点是易挥发性，即掉电数据丢失。ROM 通常指固化存储器（一次写入，反复读取），它的特点与RAM 相反。ROM又分一次性固化、光擦除和电擦除重写三种类型。

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