175度存储器FLash
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Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。

NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，即可以根据地址随机读写，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。因为其读取速度快，多用来存储程序、操作系统等重要信息。

150度存储器eeprom
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场上的FLASH存储器产品包括两类：1. 未预留缓冲空间的；2. 预留有缓冲空间的。

一种情况下，由于没有预留空间，FLASH存储器在读写时交换块的损耗相当大，于是就会出现容量越来越小的情况。

对于第二种情况，厂商在设计时已经预留部分物理块，比如选择1024个物理块中的1000个作为数据存储使用，其余24个物理块（包括坏块）用作缓冲交换块部分。每次上电后，存储单元的逻辑地址和物理地址需要重新对照，动态存储器，交换块并不是固定的某一区块，因而每一个物理块进行读写操作的几率几乎相同，不会出现哪一个物理块过早被损坏的现象。对于预留缓冲空间的FLASH存储器来说，基本不会出现容量越来越小的情况。

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存储器功能：存放指令和数据，并能由中央处理器(CPU)直接随机存取。

　　寄存器功能：可将寄存器内的数据执行算术及逻辑运算，存于寄存器内的地址可用来指向内存的某个位置，即寻址;可以用来读写数据到电脑的周边设备。

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