1：金属镀钯，镀钯铜提钯技术：首先把镀钯铜等表面镀钯料放入容器中，再加入自配退钯溶液，数秒中后表面钯退净，取出镀钯铜基体(此方法对基体无伤害，金粒技术，再用自配化学试剂，钯和溶液分离

 2：合金含钯，阜阳金粒，铜钯合金提钯技术：把铜钯合金放入容器中，加入自配化学品把铜钯合金溶解成液体，再用自配化学试剂把钯和溶液分离。

 3：废钯碳催化剂提钯，首先用物理原理把碳等有机物去除，剩下金属钯，再用化学试剂溶解金属钯，再进行下一步钯分离。

背靶材料：

无氧铜(OFC)– 目前常使用的作背靶的材料是无氧铜，金粒厂家，因为无氧铜具有良好的导电性和导热性，而且比较容易机械加工。 如果保养适当，无氧铜背靶可以重复使用10次甚至更多。

钼(Mo)– 在某些使用条件比较特殊的情况下，如需要进行高温帖合的条件下，无氧化铜容易被氧化和发生翘曲， 所以会使用金属钼为背靶材料或某些靶材如陶瓷甚至某些金属靶材的热膨胀系数无法与无氧铜匹配，同样也需要使用金属钼作为背靶材料。

各种纯度铝中的杂质含量及剩余电阻率如表2所示。超纯金属超纯的纯度也可以用剩余电阻率来测定，其值约为2×10-5。现代科学技术的发展趋势是对金属纯度要求越来越高。因为金属未能达到一定纯度的情况下，金属特性往往为杂质所掩盖。不仅是半导体材料，其他金属也有同样的情况，由于杂质存在影响金属的性能。

钨过去用作灯泡的灯丝，由于脆性而使处理上有困难，在适当提纯之后，这种缺点即可以克服（钨丝也有掺杂及加工问题）。

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