金属靶材就是高速荷能粒子轰击的目标材料。有金属类、合金类、氧化物类等等。

简单说的话，例如：蒸发磁控溅射镀膜是加热蒸发镀膜......铝膜等。更换不同的靶材（如铝、铜、不锈钢、钛、镍靶等），即可得到不同的膜系（如超硬、耐磨、防腐的合金膜等）。

应用于显示屏的阻挡层或调色层，笔记本电脑的装饰层、电池的封装等.

区域提纯后的金属锗，其锭底表面上的电阻率为30～50欧姆  厘米时，纯度相当于8～9，可以满足电子器件的要求。但对于杂质浓度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探测器级超纯锗，则尚须经过特殊处理。

由于锗中有少数杂质如磷、铝、硅、硼的分配系数接近于1或大于1，要加强化学提纯方法除去这些杂质，然后再进行区熔提纯。电子级纯的区熔锗锭用霍尔效应测量杂质（载流子）浓度，贵金属靶材厂家，一般可达10～10原子/厘米。经切头去尾，再利用多次拉晶和切割尾，贵金属靶材技术，一直达到所要求的纯度（10原子/厘米），这样纯度的锗（相当于13）所作的探测器，贵金属靶材价格，其分辨率已接近于理论数值。

超纯金属的检测方法极为困难。痕量元素的化学分析系指一克样品中含有微克级（10克/克）、毫微克级（10克/克）、微微克级（10克/克）杂质的确定。常用的手段有中子和带电粒子活化分析，贵金属靶材，原子吸收光谱分析，荧光分光光度分析，质谱分析，化学光谱分析及气体分析等。在单晶体高纯材料中，晶体缺陷对材料性能起显著影响，称为物理杂质，主要依靠在晶体生长过程中控制单晶平稳均匀的生长来减少晶体缺陷。

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