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用半导体材料作为激光工作物质的激光器称为半导体激光器，P－N结电注入型半导体激光器又称为激光二级管(Diode)，或LD。半导体材料可以是两元、三元或多元化合物，其结构可以是同质结或单异质结(SHL)，SICK工业激光条码阅读器，双异质结(DHL)等，还可以将单管LD组成阵列式(array)或层叠式(stack)以增大输出。激励方式除P－N结电注入外，还有电子束激励，光激励和雪崩击穿等方式。通常仅指明工作物质的元素，来区分不同的半导体激光器

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所谓漫反射式是指恒光源发出的光投射到被测物上，再从被测物体表面反射后投射到光电元件上;所谓遮光式是指当光源发出的光通量经被测物光遮其中一部份，使投射刭光电元件上的光通量改变，改变的程度与被测物体在光路位置有关. 光敏二极管是常见的光传感器。

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传感器中的电阻应变片具有金属的应变效应，即在外力作用下产生机械形变，从而使电阻值随之发生相应的变化。电阻应变片主要有金属和半导体两类，金属应变片有金属丝式、箔式、薄膜式之分。半导体应变片具有灵敏度高（通常是丝式、箔式的几十倍）、横向效应小等优点。

压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成的器件。其基片可直接作为测量传感元件，扩散电阻在基片内接成电桥形式。当基片受到外力作用而产生形变时，各电阻值将发生变化，电桥就会产生相应的不平衡输出。

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