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MOS管失效的两个主要原因:

电压失效:即漏源间的BVdss电压超过MOS管额定电压,中低压mos公司,达到一定容量,造成MOS管失效。

栅电压故障:栅极遭受异常电压尖峰,造成栅氧层故障。

雪崩破坏到底是什么?简单地说,MOS管是由母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等与MOS管之间叠加而形成的故障模式。简而言之,中低压mos厂家,即MOS管漏源极的电压超过了它规定的电压值,并且达到了某一能量极限i时所产生的常见故障。

造成栅电压异常高的主要原因有三个:生产、运输和装配过程中的静电;设备和电路寄生参数在电力系统运行过程中产生高压谐振;在高压冲击时,高压通过Ggd传输到电网(雷击测试时这种故障更为常见)。





公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。

MOS管可以用作可变电阻也可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。且场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。场效应管可以方便地用作恒流源也可以用作电子开关。





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在开关电源应用方面,这种应用需要MOS管定期导通和关断。比如,DC-DC电源中常用的基本降i压转换器依赖两个MOS管来执行开关功能,这些开关交替在电感里存储能量,然后把能量释放给负载。我们常选择数百kHz乃至1MHz以上的频率,因为频率越高,磁性元件可以更小更轻。在正常工作期间,MOS管只相当于一个导体。因此,我们电路或者电源设计人员关心的是MOS的传导损耗。





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