公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，宁海3080mos，为您量身定制适合的芯片方案。

估测场效应管的放大能力

　　把万用表调到R×100档时，用红表笔去接源极S，用黑表笔去接漏极D，这就好像是给场效应管加上了1.5V的电压。这个时候表针指示的就是D-S极间的电阻值。这个时候用手指去捏栅极G，把人体的感应电压当做输入信号去加到栅极上时。因为管子放大的作用，ID和UDS都会变化，意思就是D-S极间的电阻发生了变化，我们可以观察到此时表针有较大的摆动幅度。假如手捏栅极时，表针的摆动幅度很小，也就是说管子的放大能力比较弱；如果表针没有丝毫动作，说明管子已经损坏了。

发热情况有：

1.电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，3080mos公司，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，3080mos生产厂家，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，WP3080mos，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的非常忌讳的错误。

2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。

3.没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。

4.MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。

MOS管FET栅源保护：

1）避免 栅极 di/dt 过高

因为选用驱动集成ic，其输出阻抗较低，直推功率管会造成推动的功率管迅速的开启和断连，有可能导致功率管漏源极间的工作电压波动，或是有可能导致功率管遭到过高的 di/dt 而造成误通。为预防以上问题的产生，一般在 MOS 控制器的导出与 MOS 管的栅极中间串连一个电阻器，电阻器的尺寸一般选择几十欧母。

2）避免 栅源极间过压

因为栅极与源极的特性阻抗很高，漏极与源极间的工作电压基因突变会根据极间电容藕合到栅极而造成非常高的栅源顶i峰工作电压，此工作电压会使非常薄的栅源空气氧化层穿透，与此同时栅极非常容易累积正电荷也会使栅源空气氧化层穿透，因此，要在 MOS 管栅极串联稳压极管以限定栅极工作电压在稳压极管值下，保护 MOS 管不被穿透。

3）安全防护漏源极中间过压

尽管漏源击穿电压 VDS 一般都非常大，但假如漏源极不用保护电路，一样有可能由于器件电源开关一瞬间电流量的基因突变而造成漏极顶i峰工作电压，从而毁坏 MOS 管，功率管电源开关速率越快，造成的过压也就越高。为了更好地避免器件毁坏，一般选用齐纳二极管钳位和 RC 缓存电路等保护对策。

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