用正交试验法，对影响7075铝合金微弧氧化膜层致密性的电参数进行优化。以膜层厚度和孔隙率作为指标，以正向电压、电流密度、正占空比和脉冲频率作为因素设计，并开展了四因素三水平的正交试验。使用扫描电镜对正交试验后微弧氧化陶瓷膜层的表面形貌进行了观察；利用Image J软件对陶瓷膜层的膜层厚度及孔隙率进行测量。

结果表明：影响微弧氧化陶瓷膜层厚度的电参数顺序从大到小依次为：正向电压〉电流密度〉正占空比〉脉冲频率；

影响微弧氧化膜层孔隙率的电参数顺序从大到小依次为：正向电压〉电流密度〉正占空比〉脉冲频率；

采用综合平衡法确定的电参数的优化结果为：正向电压550V、电流密度8 A/dm^2、正占空比20%、频率400Hz。

微弧氧化技术广泛用途

微弧氧化技术广泛运用于航空航天、航空公司、机械设备、交通出行、石油化工设备、纺织品、包装印刷、电子器件、轻工业、诊疗等领域。微弧氧化技术的应用推广已获得基本成效。该成效在航空航天、车辆、机械设备、电子器件、纺织品、轻工业、等领域中激发了一股应用微弧氧化技术的风潮。微弧氧化技术是近几年国内盛行的高新科技技术，是原材料表面改性材料的一种关键方式。

时间对微弧氧化封孔膜层增厚的影响

在其他工艺参数相同的情况下，不同封闭时间对陶瓷膜膜层增厚的影响。封闭时间较短时，轻金属微弧氧化设备，膜层增厚较少；随着时间的延长，轻金属微弧氧化电源，膜层逐渐增厚；但是封闭时间过长，轻金属微弧氧化，如封闭时间超过60min后，膜层增厚并不显著，而且有下降的趋势。

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