一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。MOS管的source（源极）和drain（耗尽层）是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，mos价格，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。场效应管分为PMOS管（P沟道型）和NMOS（N沟道型）管，属于绝缘栅场效应管。

公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。

mos管，启东mos，是在集成电路里的带有绝缘性的场效应管。MOS 管作为半导体领域基础的器件之一，不管是在板级电路的应用上，mos公司，还是IC的设计里，都十分广泛。MOS管的drain和source是可以相互调换过来的的，都是在P型backgate里形成的一个N型区。在普遍的情况下，这两个区都是相同的，就算这两段相互调换过来也是不会去影响到器件的性能。所以这器件被认为是对称的。

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有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，mos厂家，灵活性比晶体管好。场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

在一般电子电路中，通常被用于放大电路或开关电路。而在主板上的电源稳压电路中，MOSFET扮演的角色主要是判断电位，它在主板上常用“Q”加数字表示。

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