EMMI可广泛应用于侦测各种组件缺陷所产生的漏电流，包括闸极氧化层缺陷(Gate oxide defects)、静电放电破坏(ESD Failure)、闩锁效应(Latch Up)、漏电(Leakage)、接面漏电(Junction Leakage) 、顺向偏压(Forward Bias)及在饱和区域操作的晶体管，可藉由EMMI定位，找热点(Hot Spot 或找亮点)位置，进而得知缺陷原因，帮助后续进一步的失效分析。







对于故障分析而言，微光显微镜(Emission Microscope， EMMI)是一种相当有用且效率极高的分析工具。主要侦测IC内部所放出光子。在IC元件中，EHP(Electron Hole Pairs) Recombination会放出光子(Photon)。举例说明：在P-N 结加偏压，此时N阱的电子很容易扩散到P阱，共聚焦显微镜价格，而P的空穴也容易扩散至N然後与P端的空穴（或N端的电子）做 EHP Recombination。

芯片失效分析步骤:

1、非破坏性分析：主要是超声波扫描显微镜（C-SAM）--看有没delamination，xray--看内部结构，等等；

2、电测：主要工具，连云港共聚焦显微镜，万用表，共聚焦显微镜生产厂家，示波器， tek370a

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