嘉兴市压电陶瓷片厂
氧化物掺杂改性 从铅基陶瓷发展历程可知,氧化物掺杂改性是提高PZT陶瓷电学性能的必要途径,是PZT陶瓷实用化的关键和基础.如未掺杂的准同型相界(MPB)组成的Pb(Ti0.48Zr0.52)O3陶瓷d33仅为223pC/N,而在La,压电陶瓷片厂,Nb等施主掺杂改性后,其d33升高至274~710pC/N,从而满足实际应用的要求.类似地,氧化物掺杂改性对BNT基陶瓷压电铁电性能的影响也被广泛研究.表4列出了氧化物掺杂改性的BNT基陶瓷的压电性能.从表4可以看出,类似于氧化物改性的PZT陶瓷,受主和施主离子掺杂改性将导致BNT基陶瓷压电性质的/硬化0和/软化0.Mn和Co一般显示出受主掺杂效应.Co掺杂提高了机械品质因数Qm,压电性能略为降低;与Co稍有不同,Mn掺杂使Qm提高,也改善了压电性能,这可能是由于陶瓷致密度的改善和Mn元素本身的多价态特性.











电流/电荷控制型压电陶瓷执行器驱动电源源于ComstockNewcombFlinn的研究工作,由于能降低叠堆型压电陶瓷执行器的滞后现象,实现线性驱动,得到深入研究。但是电流/电荷控制型压电陶瓷执行器驱动电源存在零点漂移,低频特性差,限制了其应用

电流/电荷控制型压电陶瓷执行器驱动电源源于Comstock和Newcomb与Flinn的研究工作,由于能降低叠堆型压电陶瓷执行器的滞后现象,实现线性驱动,得到深入研究。但是电流/电荷控制型压电陶瓷执行器驱动电源存在零点漂移,低频特性差,限制了其应用
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介电陶瓷:

介电陶瓷是电子陶瓷中产量大的一支,主要用在制作电容器,传统的电容器包括了温度补偿型,高K型与半导型。由於目前电子元件追求小型化,因此将多层的电容做积层的串连,成为积层电容器,大量的以SMT(表面黏着技术)使用在印刷电路版上。而利用陶瓷介电性制成的高频共振元件,则运用在大哥大电话,位星通讯等高频通讯的领域,在讲究个人通讯的今日,有无穷的潜力。介电陶瓷中的铁电陶瓷具有极高的介电系数与自发性极化,利用其高介电性,可以应用在高容量DRAM(动态随机记体)的制造中。例如1996日本三菱公司发表以BST为基础的4Gb容量DRAM,具有极高的商业潜力,利用自发性极化,可以作为非挥发性记忆体,未来可能取代硬碟,成为大容量IC


记忆体的新宠儿。


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