四氟化碳物理性质 :

   熔点-183.6℃，

   分子式是CF4，

　　沸点-128.1℃，

　　液体密度(-130℃)1.613g/cm3，高纯四氟化碳，

　　液体折光率(-173℃)1.515，

　　固体转变点72.2K，

　　临界温度-45.67℃，四氟化碳，

　　临界压力3.73MPa，

   蒸气压（-150.7℃）13.33kPa

  介电常数（25℃，0.5MPa）1.0006

　　临界密度：7.1dm3/mol

　　标准摩尔自由能：-929.84 kJ/mol

　　标准摩尔生成自由能：-887.41 kJ/mol

   危险性类别：第2.2类不燃气体

随着芯片制程向7纳米迈进，细微杂质对芯片的损害更为明显，电子产业对高纯电子气体的纯度要求进一步提高，四氟化碳公司，在此背景下，我国高纯四氟化碳生产技术与产品质量仍有提升空间。四氟化碳贮存注意事项：气瓶使用和检验遵照《气瓶安全监察规程》的规定。气瓶内的气体不能全部用尽，应该留不小于0.04MPa剩余压力。我国人工智能、物联网市场仍在不断扩大，光伏发电累计装机容量不断上升，预计2020-2025年，我国高纯四氟化碳市场需求将继续以10.0%以上的增速增长。

四氟化碳的密度比较高，可以填满地面空间范围，在不通风的地方会导致窒息。四氟化碳成品应存放在阴凉，干燥，通风的库房内，严禁曝晒，远离热源。四氟化碳是可作为氟和自由基氟化碳的来源，用于各种晶片蚀刻工艺。四氟化碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳是目前微电子工业中用量大的等离子蚀刻气体，其高纯气及四氟化碳高纯气配高纯氧气的混合体，可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨薄膜材料的蚀刻。

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