低频LCR阻抗分析仪 直流阻抗分析仪  测量方法，分类型操作：平行板法（测薄片材料，将材料夹在两圆形电极间，电极直径 D、间距 d，仪器测量电容 C，通过公式 εr=C×d/(ε0×S) 计算，S 为电极面积，ε0 为真空介电常数，频率选 1kHz-1MHz，适合测固体薄片）；同轴探头法（测液体或粉末材料，将同轴探头插入材料，仪器测量探头阻抗变化，计算 εr 与 tanδ，无需样品加工，适合测黏稠液体）；谐振腔法（测高频介电材料，将材料放入谐振腔，通过阻抗变化测量谐振频率与品质因数，计算 εr 与 tanδ，适合 100MHz-10GHz 频段）。

低频LCR阻抗分析仪 直流阻抗分析仪  在选择合适的阻抗分析仪时，应考虑以下几个方面。

测量方法：根据阻抗和频率的预期测量范围选择测量方法。

电压电平控制：请记住，电容器的介电常数及其电容取决于交流电压电平。同样，电感器材料的电磁滞后也取决于交流电流电平。因此，一台好的分析仪至少必须具备电压电平监控功能。 好还能具备自动电平控制能力，以保持电压恒定。

测量精度：不同的分析仪及其设计具有不同的精度。根据所需的精度来决定分析仪。

所需的阻抗参数：根据要测量的参数选择仪器，如介电常数、磁导率、品质因数 (Q) 或耗散因子 (D)。

介电常数的大小表示该介质中空间电荷互相作用减弱的程度。作为高频绝缘材料，ε要小，特别是用于高压绝缘时。在制造高电容器时，则要求ε要大，特别是小型电容器。

在绝缘技术中，特别是选择绝缘材料或介质贮能材料时，都需要考虑电介质的介电常数。此外，由于介电常数取决于极化，而极化又取决于电介质的分子结构和分子运动的形式。所以，通过介电常数随电场强度、频率和温度变化规律的研究，还可以推断绝缘材料的分子结构。

Q值：tgδ的倒数称为品质因素，或称Q值。Q值大，介电损失小，说明品质好。所以在选用电介质前，必须首先测定它们的ε和tgδ。而这两者的测定是分不开的。

通常测量材料介电常数和介质损耗角正切的方法有二种：交流电桥法和Q表测量法，其中Q表测量法在测量时由于操作与计算比较简便而广泛采用。本实验主要采用的是Q表测量法。