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1.TFT 结构:TFT是由多个薄膜层组成的结构。其中包括透明导电层(一般为透明的氧化铟锡涂层，ITO层)，绝缘层(般为二氧化硅或硅氧化铝)，以及半导体层(多品硅或非晶硅)。
2.偏压施加:在TFT中，电场通过透明导电层施加在半导体层上，可以调节半导体层的导电性。
3.管道形成:由于施加的电压，半导体层中部分区域的导电特性会发生变化，形成了导电通道。这个导电通道可以控制液晶的透过性，商业净水器显示屏定制，从而控制显示器上的像素显示。
TFT薄膜晶体管阵列（TFTArray） 这是TFT液晶屏的。这层位于下玻璃基板上，由密集的薄膜晶体管组成，每个像素点都对应一个独立的TFT开关。这些微小的开关负责控制流向每个像素的电压，确保像素能够被独立、稳定地控制。
液晶层（LiquidCrystalLayer） 这是面板的中央层，夹在两片玻璃基板之间。它由液晶分子构成。这些分子在没有电场时呈无序排列，而在施加电压后会按特定方向旋转。正是这种特性，使得它们能够像一个“光阀”，控制穿过每个像素点的光线量。
其它辅助层 除了以上结构，面板内还有一些辅助层，如： 取向膜（AlignmentLayer）：用于让液晶分子在没有施加电压时，能够按特定方向排列。 隔垫物（Spacer）：均匀分布在两片玻璃基板之间，以确保两者之间的距离（即盒厚）始终保持一致。 密封胶：用于密封两片玻璃基板，防止液晶分子泄漏。
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目前的液晶显示器广泛采用的是底栅结构。因为液晶显示的被动发光器件，即显示器背面需要一个背光源，在底栅结构中不透光的栅极金属层能很好地把来自背光的光遮挡住，避免光线照到硅岛上产生载流子而影响薄膜晶体管的关态电流特性。目前面板厂都广泛采用背沟道（BCE）刻蚀结构，一方面是其电学特性能满足显示器的要求，智能炒菜机显示屏更新，另一方面该工艺在设计和技术上有所提升。
镀膜/Sputter:在近似真空的环境下，用电场加速惰性元素离子，轰击金属靶材，通过溅射沉积（sputter）在玻璃基板上形成一层金属薄膜。
靶材接阴极，玻璃接正极或接地，导入氙气。电子在电场的作用下加速飞向玻璃的过程中与Ar原子发生碰撞，电离出大量的Ar+和e-，智能炒菜机显示屏联系方式，形成等离子体(电浆)。 Ar+在电场的作用下加速轰击靶材（什么金属？如何轰击？），溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子(或分子)玻璃沉积成膜;
光刻形成的ITO有3个作用：
1）TFT处ITO，用作像素电极，与彩膜基板上的共用电极一起形成液晶像素的上下电极，控制液晶分子的旋转实现显示。
2）是存储电容上的ITO为存储电容的另一个电极，与次光刻的金属电极一起形成了存储电容的上下电极，两电极之间的介质层为绝缘层和钝化层。
3）外引线处的ITO为栅线和信号线金属的保护层，东莞显示屏，为防止金属电极直接暴露在大气下氧化，在外引线暴露金属电极的部分覆盖上ITO起到保护的作用。
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TFT-LCD open cell前段制程与半导体制程非常相似，主要分成四个步骤：
1.利用沉淀形成gate metal。首先在玻璃基板上涂布一层金属，然后涂上光阻胶，后通过暴光、显影、蚀刻和除胶而形成gate metal。涂布的金属材料主要成分为：钛（TI）、铝（AL）、钼（MO）和铬（CR）以及其混合物。
2.沉淀SI3N4（氮化硅）、a-SI（非晶硅）和N+a-si（N型硅）。
首先利用PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deition ) 技术分别涂布一层SI3N4、N+a-si和a-si，然后在N+a-si和a-si上涂布光阻胶，通过暴光、显影、蚀刻和除胶而形成所需形状。PECVD指的是等离子体增强化学气相沉积法，原理是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉淀出所期望的薄膜。 SI3N4、N+a-si和a-si三种材料充当的角色分别为：gate端和液晶存储电容的电解质、N型半导体和P型半导体。
液晶显示器在完成了制屏工艺后，还需要绑定驱动电路等部件才能实现显示。将液晶屏、驱动电路、柔性线路板（FPC)、印刷电路板板(PCB)、背光源、结构件绑定组装在一起的工艺称为液晶显示器的模块工艺，又称为模组工艺。根据绑定IC方式的不同，液晶显示模块工艺又可以分为：COB工艺、TAB工艺、COG工艺和COF工艺。
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