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LCD 的接口有多种，分类很细。主要看 LCD 的驱动方式和控制方式，目前
手机上的彩色 LCD 的连接方式一般有这么几种： MCU 模式， RGB 模式， SPI 模式，
VSYNC 模式， MDDI 模式， DSI 模式。 MCU 模式（也写成 MPU 模式的）。只有TFT 模块才有 RGB 接口。
但应用比较多的就是 MCU 模式和 RGB模式，工控设备显示屏价格，区别有以下几点：
1. MCU 接口 :会命令，由 timing generator 产生时序信号，驱动 COM 和 SEG驱器。
RGB 接口:在写 LCD register setting 时，和 MCU 接口没有区别。区别只在于图像的写入方式。
2. 用 MCU 模式时由于数据可以先存到IC 内部 GRAM 后再往屏上写， 所以这种模式LCD 可以直接接在 MEMORY 的总线上。用 RGB 模式时就不同了，工控设备显示屏OEM定制， 它没有内部 RAM， HSYNC ， VSYNC ， ENABLE ， CS，显示屏，RESET ， RS 可以直接接在 MEMORY 的 GPIO 口上，用 GPIO 口来模拟波形 .
TFT液晶模组与LVDS接口搭配起来也是非常好的。因为低压差分信号是一种特殊的数据信号标准，家电行业显示屏控制模块厂家，而LVDS接口则可以通过双绞线覆铜线缆进行高速通信，选择它进行通信显示则大大有助于减少电磁干扰与串行干扰，故而它大大有助于提升TFT液晶模组显示的清晰度。
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二、显示器的驱动方式
无论是液晶显示还是OLED显示都分为主动显示和被动显示两大类。对于 LCD显示，分成 无源（被动）驱动显示LCD，如：Color-STN-LCD显示器，STN-LCD，TN-LCD等；有源（主动）驱动显示LCD，工控设备显示屏定制，如：TFT－LCD。对于OLED显示，分成 无源（被动）驱动显示OLED（PMOLED）和 有源（主动）驱动显示OLED（AMOLED）。
无源（被动）驱动显示OLED或LCD通常只能同时显示200行以下，因此要显示更多的行数以达到高清晰度，就要采用有源（主动）驱动显示方式，即TFT-LCD、AMOLED。有源（主动）驱动显示方式包含TFT制作技术。
三、TFT薄膜技术
1．非晶硅薄膜。非晶硅薄膜晶体管技术是70年代提出的。经过各国科学家近30年的不懈努力， 如今第七代以上液晶显示器（LCD）生产线已全部实现自动化，工业生产技术相当成熟。已经发展成为当今世界液晶显示器的主品，未来发展的目标是更大的屏幕尺寸和更低的生产成本。
非晶硅TFT技术，其优点是制备工艺成熟，相对简单，成品率高，适合于大面积生产。其缺点是TFT只有N型器件，迁移率只有 0.5-1.0cm2/Vs。因此，采用非晶硅TFT工艺，很难制备、全集成的超薄型结构紧凑的显示器模块。非晶硅TFT技术不能用于高分辨率的有源驱动OLED显示屏
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STN LCD比TN LCD的视角更宽，而且除笔段型和字符型的显示以外，也可以做点阵型。STN LCD搭配半透或者反射的偏光片时，可以不加背光直接显示，降低成品的功耗。而且LCD还可以嵌入简单的触控功能，将显示与触控功能二合为一，是物理按键面板的上佳替代方案。
现已实现产业化的tft类型包括：非晶硅tft（a-si tft）、多晶硅tft（p-si tft）、单晶硅tft（c-si tft）几种。目前使用Z多的仍是a-si tft。a-si tft的制造工艺是先在硼硅玻璃基板上溅射栅极材料膜，经掩膜曝光、显影、干法蚀刻后形成栅极布线图案。
tft阵列工艺是tft-lcd制造工艺的关键，也是设备投资Z多的部分。整个工艺要求在很高的净化条件（例如10级）下进行。
一般掩膜曝光用步进曝光机。第二步是用pecvd法进行连续成膜，形成sinx膜、非掺杂a-si膜，掺磷n+a-si膜。然后再进行掩膜曝光及干法蚀刻形成tft部分的a-si图案。第三步是用溅射成膜法形成透明电极（ito膜），再经掩膜曝光及湿法蚀刻形成显示电极图案。第四步栅部绝缘膜的接触孔图案形成则是使用掩膜曝光及干法蚀刻法。第五步是将al等进行溅射成膜，用掩膜曝光、蚀刻形成tft的源极、漏极以及信号线图案。Z后用pecvd法形成保护绝缘膜，再用掩膜曝光及干法蚀刻进行绝缘膜的蚀刻成形（该保护膜用于对栅极以及信号线电部和显示电极的保护）。至此，整个工艺流程完成。
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