下边是MOS无效的六大缘故：

1：山崩无效（工作电压无效），也就是人们常说的漏源间的BVdss工作电压超出MOSFET的额定电流，而且超出做到了一定的功能进而导致MOSFET无效。

2：SOA无效（电流量无效），既超过MOSFET安全工作区造成无效，分成Id超过器件规格型号无效及其Id过大，耗损过高器件长期热累积而导致的无效。

3：体二极管无效：在桥式、LLC等有效到体二极管开展续流的网络拓扑结构中，因为体二极管遭到影响而导致的无效。

4：串联谐振无效：在串联应用的环节中，栅极及电源电路寄生参数导致波动造成的无效。

5：静电感应无效：在冬秋时节，WPmos管厂家，因为身体及机器设备静电感应而导致的器件无效。

6：栅极工作电压无效：因为栅极遭到出现异常工作电压顶i峰，而导致栅极栅氧层无效。

发热情况有：

1.电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的非常忌讳的错误。

2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，宁波WPmos管，所以发热也加大了。

3.没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。

4.MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，WPmos管价格，导致开关阻抗增大。

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判定栅极　

　　用万用表的黑表笔去触碰管子的随意一个电极，红表笔分别去触碰另外的两个电极。如果两次都测出的阻值较小，说明两者都是正向电阻，该管属于是N沟道的场效应管，黑表笔接触的一样也是栅极。

制作的过程中就决定了场效应管的漏极和源极是对称的 ，可以互相交换使用 ，并不会影响电路的使用，电路此时也是正常的，所以不用去过度区分。漏极和源极之间的电阻大约是几千欧。不能使用这个方法去判断绝缘栅型场效应管的栅极。因为这管子输入的电阻是极高的，而且栅源之间的极间电容又是非常小的，WPmos管生产厂家，测量的时候只要有少量电荷，就可以在极间电容上面形成极高的电压，管子将很容易损坏。

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