3080mos万芯半导体-南通3080mos-苏州炫吉电子





公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。

MOS,是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。





公司成立于2013年7月,3080mos生产厂家,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。


 跟双旋光性晶体三极管对比,一般觉得使MOS管导通不用电流量,3080mos公司,只需要GS电压高过一定的值就可以了。做到这一点比较容易,我们主要是需要一定的速率。

     对于MOS管的结构来说,我们可以发现在GS、GD里会有一些寄生电容,而MOS管的驱动,实际上就是对电容充电和放电。对于电容的充电我们只需要一个电流就够了,由于电容在充电的瞬间相当于可以把电容当做是短路,这个时候的瞬间电流会比一般情况下数值要高一些。因此我们再挑选或者是设计MOS管驱动电路方案的时候,首先要先留意可提供的瞬间短路电流大小。







电子元器件都有电气参数,在选型时要给电子元器件留出足够的余量,才能保证电子元器件的稳定性和长期运行。接下来简要介绍一下三极管和MOS管的选型方法。

三极管是一种流控型器件,MOS管是压控型器件,两者之间有相似之处,南通3080mos,在选择时需要考虑耐压、电流等参数。

1、根据耐压选型

三极管的集电极C与发射极E之间能承受的电压参数为V(BR)CEO,工作时CE之间的电压不得超过规定值,否则三极管将永i久损坏。

在使用过程中,MOS管的漏极D与源极S之间也存在电压,工作时DS两端的电压不能超过规定值。一般来说,MOS管的耐压值远高于三极管。

2、过电流能力

三极管有ICM参数,即集电极的过电流能力,MOS管的过电流能力以ID来表示。当电流工作时,流过三极管/MOS管的电流不能超过规定值,否则器件将会被烧坏。

考虑到工作稳定性,一般要留出30%-50%,3080mos万芯半导体,甚至更多的余量。




3、工作温度

商业级芯片:一般范围在0到+70℃;

工业级芯片:一般范围在-40到+85℃;

军i工级芯片:一般范围在-55℃到+150℃;

在进行MOS管选型时,要根据产品的使用场合选择合适的芯片。

4、根据开关频率选择

三极管和MOS管都有开关频率/响应时间的参数。如果用于高频电路中,必须考虑开关管的响应时间是否符合使用条件。

5、其他选型条件

例如,MOS管的导通电阻Ron参数、MOS管的VTH开启电压等。







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