微弧氧化电源-日照微弧氧化工艺-微弧氧化电源原理
微弧氧化(Microarc oxidation, MAO)又称等离子体电解氧化(Plasma electrolytic oxidation, PEO)、微等离子体氧化(Microplasma oxidation, MPO)等,是通过电解液与相应电参数的组合,在铝、镁、钛等金属及其合金表面依靠弧光放电产生的瞬时高温高压作用,原位生长出以基体金属氧化物为主的陶瓷膜层。






1温度对微弧氧化的影响

微弧氧化与阳极氧化不同,所需温度范围较宽。一般为10-90度。温度越高,成膜越快,但粗糙度也增加。且温度高,会形成水气。一般建议在20-60度。由于微弧氧化以热能形式释放,所以液体温度上升较快,微弧氧化过程须配备容量较大的热交换制冷系统以控制槽液温度。

2.时间对微弧氧化的影响

微弧氧化时间一般控制在10~60min。氧化时间越长,膜的致密性越好,小型微弧氧化电源,但其粗糙度也增加。

3.阴极材料

阴极材料可选用不锈钢,碳钢,镍等,可将上述材料悬挂使用或做成阴极槽体。

4.后处理对微弧氧化的影响

微弧氧化过后,工件可不经过任何处理直接使用,也可进行封闭,电泳,抛光等后续处理。折叠


负占空比对钛合金微弧氧化膜层的影响

恒压模式下,微弧氧化电源原理,利用自制的多功能微弧氧化设备在Na2SiO3—Na3PO4—NaOH电解液体系中制备了钛合金陶瓷膜,采用扫描电镜、X射线衍射仪等考察了负占空比(dc)对钛合金微弧氧化膜厚度、表面形貌、硬度、相组成及耐蚀性的影响。结果表明:随着dc的增加,微弧氧化电源,膜层厚度减小;膜层表面呈典型的多孔陶瓷结构,随dc的增大,膜层表面微孔数量减少,孔径增大且有裂纹产生;膜层相组成主要为Ti、金红石及锐钛矿TiO2,在dc=45%时基体衍射峰消失。相对基体而言,膜层的硬度及耐蚀性都具有较大的提高;随dc增加,膜层硬度增强,耐蚀性有一定程度的减弱。



微弧氧化电源-日照微弧氧化工艺-微弧氧化电源原理由日照微弧技术有限公司提供。日照微弧技术有限公司在行业设备这一领域倾注了诸多的热忱和热情,日照微弧技术一直以客户为中心、为客户创造价值的理念、以品质、服务来赢得市场,衷心希望能与社会各界合作,共创成功,共创辉煌。相关业务欢迎垂询,联系人:赵先生。

日照微弧技术有限公司
姓名: 赵先生 先生
手机: 15563870760
业务 QQ: 1026069669
公司地址: 山东省日照市高新技术产业开发区高新6路创业中心C4栋
电话: 0633-2299997
传真: 0633-2299997