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Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。

NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样,即可以根据地址随机读写,用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码,这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。因为其读取速度快,多用来存储程序、操作系统等重要信息。



200度FLash存储器
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只读存储器的内容由可编程逻辑控制器制造商编写并固化。PLC断电后,ROM的内容不会丢失。用户只能阅读,不能重写。因此,ROM常用来存储系统程序,具有开机自检、键盘输入处理、用户程序翻译、信息传输、工作模式选择等功能。


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EEPROM是指带电可擦可编程只读存储器,是一种掉电后数据不丢失的存储芯片。EPROM芯片可重复擦除和写入,高温150度读写存储器单价,解决了PROM芯片只能写入一次的弊端。

EPROM芯片有一个很明显的特征,在其正面的陶瓷封装上,开有一个玻璃窗口,透过该窗口,可以看到其内部的集成电路,紫外线透过该孔照射内部芯片就可以擦除其内的数据,完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。EPROM内资料的写入要用专门的编程器,并且往芯片中写内容时必须要加一定的编程电压。



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