合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ，高温200度读写存储器单价，适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多，150度常用的是25LC256系列，175度FLash存储器可以做到4MB容量，200度和210度的都是TI公司eeprom存储器，容量较小，高温175度读写存储器型号，如有需要的客户，欢迎来电。
闪速存储器（Flash ROM）是20世纪80年代中期出现的一种块擦写型存储器，是一种高密度、非易失性的读/写半导体存储器，Flash ROM突破了传统的存储器体系，改善了存储器产品的特性。
Flash ROM中的内容不像RAM一样需要电源支持才能保存，但又像RAM一样可重写。在某种低电压下，Flash ROM的内部信息可读不可写，高温200度读写存储器型号，类似于ROM，而在较高的电压下，其内部信息可以更改和删除，又类似于RAM。
150度原装存储器
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一般地EEPROM存储器（如93C46/56/66系列）的擦写次数为10万次，超过这一极限的时候，该单元就无法再使用了。但在实际应用中，可能有些数据要反复改写。这时，可通过变址寻址的方式来突破EEPROM存储器的擦写寿命极限。
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磁性随机存储器(MRAM)
从原理上讲，MRAM的设计是非常诱人的，读写存储器，它通过控制铁磁体中的电子旋转方向来达到改变读取电流大小的目的，从而使其具备二进制数据存储能力。理论上来说，铁磁体是长久不会失效的，因此它的写入次数也是没有限制的。
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