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合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,150度常用的是25LC256系列,读写存储器,175度FLASH存储器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,容量较小,如有需要的客户,欢迎来电。
FLASH存储器的基本单元电路,与EEPROM类似,也是由双层浮空栅MOS管组成。但是一层栅介质很薄,作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同,在第二级浮空栅加以正电压,使电子进入一级浮空栅。读出方法与EPROM相同。擦除方法是在源极加正电压利用一级浮空栅与源极之间的隧道效应,把注入至浮空栅的负电荷吸引到源极。由于利用源极加正电压擦除,因此各单元的源极联在一起,这样,快擦存储器不能按字节擦除,而是全片或分块擦除。
175度高温存储器
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随机存取存储器(Random Access Memory,简称RAM):可在任何时刻随机地对任意一个单元直接存取信息。根据所采用的存储器单元工作原理的不同,又将随机存储器分为SRAM和动态存储器DRAM。DRAM存储单元结构非常简单,他所能达到的集成度远高于SRAM。构成存储器的存储介质,存储元,它可存储一个二进制代码。由若干个存储元组成一个存储单元,然后再由许多存储单元组成一个存储器。一个存储器包含许多存储单元,每个存储单元可存放一个字节(按字节编址)。每个存储单元的位置都有一个编号,即地址,高温150度读写存储器单价,一般用十六进制表示。一个存储器中所有存储单元可存放数据的总和称为它的存储容量。假设一个存储器的地址码由20位二进制数(即5位十六进制数)组成,则可表示2的20次方,即1M个存储单元地址。每个存储单元存放一个字节,则该存储器的存储容量为1MB。
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电压稳定性:确保EEPROM存储器的供电电压稳定,避免电压过高或过低。可以使用IRF7832TRPBF稳压器或电压监测器来监测和调节供电电压。
写入和擦除保护:在写入和擦除操作之前,可以使用写入和擦除保护功能来确保操作的正确性。这可以通过设置特定的控制位或使用写入和擦除保护的硬件电路来实现。
温度控制:EEPROM存储器对温度敏感,过高或过低的温度都可能导致存储器的故障。因此,应尽量保持EEPROM存储器在适宜的温度范围内工作。
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